【中國首部EUV光刻機原型｜被喻為中國「曼哈頓計劃」】

中國在晶片技術領域的突破再度引發外界關注。據《路透社》引述消息人士報道，中國科學家於今年初在深圳的實驗室內成功打造出一部極紫外光（EUV）光刻機的原型機。這項關鍵性突破被形容為中國版的「曼哈頓計劃」，顯示中國在人工智能（AI）晶片技術上追趕西方的決心。

EUV光刻機被譽為現代晶片生產的核心設備，其技術目前由荷蘭晶片設備巨頭 ASML 壟斷。EUV光刻技術的核心是利用極紫外光束將極微細的電路蝕刻到矽片上，是生產AI、智能手機及先進武器晶片的關鍵步驟。中國的這項突破雖然讚為進展，但仍有明顯的技術挑戰。

報道指出，這台EUV光刻機原型機的體積龐大，幾乎佔據了整個工廠樓層，相比ASML成熟的商用機器（約一輛巴士大小），這台原型機更像是一個實驗室的「科學怪人」。雖然原型機已能成功產生極紫外光，但技術尚未成熟到可以生產出實用的晶片。

同時，這項突破並非完全自主創新，而是利用了「逆向工程」的方式。消息透露，這項工程背後的關鍵團隊包含了多名來自ASML的前工程師，他們將ASML的技術進行了逆向研究，這一策略被形容為「無法購買圖紙時，就去購買大腦」。

儘管技術上仍有諸多難關，但中國政府已制定了一個雄心勃勃的時間表，目標是在2028年前實現原型機的晶片生產，並有望於2030年實現量產。這意味著中國在EUV光刻技術領域的全面商用仍需時日，但其決心和進展不容小覷。

中美之間的科技競爭日益激烈，而晶片技術成為了這場競爭的核心。由於美國對中國實施的技術出口限制，中國在關鍵晶片技術上陷入困境。而中國此次據報的突破，無疑是其在科技自立自強道路上的重要一步。

然而，專家指出，從原型機到商用化量產，仍需解決一系列工程及產業化難題，這被形容為「上帝的工藝」，其複雜程度遠超一般製造業。

中國在EUV光刻機方面的突破，無疑將對全球晶片產業格局產生深遠影響，也將為其在中美科技戰中的角色增添籌碼。但距離實現商用化，仍需時間和技術的進一步成熟。